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UT6K3TCR1

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Ta) 供应商设备包装: HUML2020L8 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 3000

数量 单价 合计
3000+ 2.78851 8365.55100
6000+ 2.71608 16296.52800
  • 库存: 0
  • 单价: ¥2.78852
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥8,365.55
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 场效应管特性 标准
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 最大功率 2W(Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 4nC @ 4.5V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@1毫安
  • 供应商设备包装 HUML2020L8
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 5.5A (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 42毫欧姆 @ 5A, 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 450皮法 @ 15V
  • 包装/外壳 8-PowerUDFN

UT6K3TCR1 产品详情

双N沟道MOSFET晶体管

特色

  • 导通电阻低。
  • 小型表面安装组件。
  • 无铅铅镀层;符合RoHS。
  • 无卤素。

UT6K3TCR1所属分类:场效应晶体管阵列,UT6K3TCR1 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。UT6K3TCR1价格参考¥2.788517,你可以下载 UT6K3TCR1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询UT6K3TCR1规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...

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