AO4627

Name: AO4627
Brand: 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
SKU: 7119528-AO4627
Price: 1.605389 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: N和P通道场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A, 3.5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
交期:5-7 工作日

渠道:

自营
得捷
贸泽

起订量: 3000

数量	单价	合计
3000+	1.60538	4816.16700

库存: 0
单价: ¥1.60539
数量:
- +
总计: ¥4,816.17

在线询价

温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

部件状态可供货
安装类别表面安装
场效应管特性逻辑电平门
漏源电压标 (Vdss) 30伏
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
场效应管类型 N和P通道
包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
制造厂商阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
最大功率 2W
供应商设备包装 8-SOIC
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 5nC @ 10V
漏源电流 (Id) @ 温度 4.5A, 3.5A
导通电阻 Rds(ON) 50毫欧姆 @ 4.5A, 10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 210华氏度@15伏

AO4627 产品详情

AO4627采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。这种互补的N和P沟道MOSFET配置是低输入电压逆变器应用的理想选择。

产品概要
N通道P通道
VDS=30V-30V
ID=4.5A（VGS=10V）-3.5A（VGS=-10V）
RDS（打开）
<50米Ω （VGS=10V）<100mΩ （VGS=-10V）
<68米Ω （VGS=4.5V）<165米Ω （VGS=-4.5V）

100%UIS测试100%UIS
100%Rg测试100%Rg

AO4627 相关器件

型号	制造商	描述	价格
AO4407C		类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：14A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@10V,14A 产地：重庆	¥1.54346
AO4882-MS	美森科 (MSKSEMI)	类型：2个N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.9W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@10V,6A 4882	¥1.73742
AO4616(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥1.14847
AO4435-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,7A	¥1.1367
AO4410-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9mΩ@10V,10A	¥0.98694
AO4606	广东友台半导体 (UMW)	类型：1个N沟道和1个P沟道	¥1.6422
AO4435	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥1.46162
AO4407-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@10V,10A	¥1.17054
AO4411(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.86192
AO4419(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.69013

AO4627所属分类：场效应晶体管阵列，AO4627 由阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AO4627价格参考￥1.605389，你可以下载 AO4627中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AO4627规格参数、现货库存、封装信息等信息！