9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDG6302P，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDG6302P参考价格为0.922美元。onsemi FDG6302P封装/规格：MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC70-6。您可以下载FDG6302P英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDG6301N_F085，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101系列，设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000988盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2信道数量的信道，该器件具有供应商设备包的SC-70-6，配置为双路，FET类型为2 N信道（双路），最大功率为300mW，晶体管类型为2 N-信道，漏极至源极电压Vdss为25V，输入电容Cis-Vds为9.5pF@10V，FET特性为逻辑电平门，25°C时的电流连续漏极Id为220mA，最大Id Vgs上的Rds为4 Ohm@220mA，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为0.4nC@4.5V，Pd功耗为300mW，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为8伏，Id连续漏极电流为220毫安，Vds漏极-源极击穿电压为25伏，Rds漏极源极电阻为7欧姆，晶体管极性为N沟道。
FDG6301N_D87Z带有用户指南，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于SC-70-6供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于4 Ohm@220mA，4.5V，提供功率最大功能，如300mW，包装设计用于磁带和卷轴（TR），以及6-TSSOP、SC-88、SOT-363包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供9.5pF@10V输入电容Cis Vds，该器件具有0.4nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为25V，25°C电流连续漏极Id为220mA。
FDG6301N-NL，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDG6301N-NL采用SOT363封装，是IC芯片的一部分。
