DMG6301UDW-13
- 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 240毫安 供应商设备包装: SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 场效应管特性 标准
- 最大功率 300mW
- 场效应管类型 2个N通道(双通道)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
- 漏源电压标 (Vdss) 25伏
- 导通电阻 Rds(ON) 4欧姆 @ 400毫安, 4.5V
- 供应商设备包装 SOT-363
- 漏源电流 (Id) @ 温度 240毫安
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.36nC@4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 27.9皮法@10V
DMG6301UDW-13 产品详情
N沟道MOSFET,12V至28V,二极管公司
DMG6301UDW-13所属分类:场效应晶体管阵列,DMG6301UDW-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMG6301UDW-13价格参考¥0.486940,你可以下载 DMG6301UDW-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMG6301UDW-13规格参数、现货库存、封装信息等信息!
达尔科技 (Diodes rporated)
Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广...