9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMG8601UFG-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMG8601UFG-7参考价格0.63000美元。Diodes Incorporated DMG8601UFG-7封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN。您可以下载DMG8601UFG-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMG7702SFG-13是MOSFET 30V N-Ch ENH模式PowerDI 12A-9.5A，包括DMG7702系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002540盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于PowerDI-3333，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有890 mW的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为9.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，漏极-源极电阻Rds为10mOhms，晶体管极性为N沟道，沟道模式为增强型。
DMG7702SFG-7是由Diodes制造的“MOSFET MOSFET BVDSS：25V-30 PowerDI3333-8”。DMG7702SF G-7以PowerDI3333-88封装形式提供，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET BVDSS:25V-30 PowerDI3333-8、N沟道30V 12A（Ta）890mW（Ta）表面安装PowerDI3337-8、MOSFETMOSFET BVDS:25V-30PowerDI3333-7、2K”。
DMG8023SS，电路图由DIODES制造。DMG8023SS采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
