9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQJ912AEP-T2_BE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQJ912AEP-T2_BE3参考价格为1.22000美元。Vishay Siliconix SQJ912AEP-T2_BE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8。您可以下载SQJ912AEP-T2_BE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQJ858AEP-T1_GE3，带有引脚细节，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及PowerPAKR SO-8封装盒，该设备也可以用作Si技术，它的工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有供应商器件封装的PowerPAKR SO-8，配置为单一，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，最大功率为48W，漏极到源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为2450pF@220V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为58A（Tc），最大Id Vgs的Rds为6.3mOhm@14A，10V，Vgs的最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为55nC@10V，Pd功耗为48W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为9ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为58A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs第栅极-源阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为6.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为26ns，典型导通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为36nC。
带用户指南的SQJ912AEP-T1_GE3，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在2 V Vgs th栅极-源极阈值电压下工作，数据表注释中显示了用于20 V的Vgs栅极-源电压，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，如40 V，单位重量设计为在0.017870 oz内工作，以及10 ns典型开启延迟时间，该装置也可用作23ns典型关断延迟时间。此外，晶体管极性为N沟道，器件以TrenchFET商品名提供，器件具有Si of Technology，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8 Dual，系列为TrenchFETR，上升时间为9 ns，Rds On Max Id Vgs为9.3 mOhm@9.7A，10V，Rds On Drain Source Resistance为9.3 m欧姆，Qg栅极电荷为25.6 nC，功率最大为48W，Pd功耗为48W，封装为磁带和卷轴（TR），封装外壳为PowerPAKR SO-8 Dual，工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-55 C，最大工作温度范围+175 C，输入电容Ciss Vds为1835pF@20V，Id连续漏极电流为30 A，栅极电荷Qg Vgs为38nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，下降时间为11 ns，漏极到源极电压Vdss为40V，电流连续漏极Id 25°C为30A，配置为双。
SQJ858AEP-T1-GE3是MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8，包括单一配置，它们设计为在8 ns下降时间下工作，Id连续漏极电流如数据表注释所示，用于58A，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，以及SMD/SMT安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为SO-8，器件采用卷筒封装，器件具有SQJ848AEP-T1-GE3部件别名，Pd功耗为48W，Qg栅极电荷为36nC，漏极电阻Rds为6.3mOhm，上升时间为9ns，系列为SQ系列，技术为Si，商品名为TrenchFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为26ns，典型接通延迟时间为10ns，单位重量为0.017870oz，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs栅-源极阈值电压为2V。
SQJ884EP-T1_GE3，带EDA/CAD型号，包括TrenchFET商标，设计用于SQ系列系列，技术如数据表注释所示，用于Si，提供卷盘等封装功能。
