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FDZ1905PZ
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FDZ1905PZ

  • 描述:场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 供应商设备包装: 6-WLCSP (1x1.5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥3.66491
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.66
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 漏源电压标 (Vdss) -
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 -
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 场效应管类型 2个P通道（双通道）
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 部件状态 过时的
  • 最大功率 900mW
  • 导通电阻 Rds(ON) 126毫欧姆@1A，4.5V
  • 包装/外壳 6-UFBGA, WLCSP
  • 供应商设备包装 6-WLCSP (1x1.5)

FDZ1905PZ 产品详情

该设备专门设计为蜂窝手机和其他超便携应用中电池充电开关的单包解决方案。FDZ1905PZ采用先进的1.5V PowerTrench®工艺，采用最先进的“低间距”WL-CSP封装工艺，具有两个公共漏极P沟道MOSFET，可实现双向电流流动。FDZ1905 PZ最大限度地减少了PCB空间和rS1S2（打开）。这种先进的WL-CSP MOSFET体现了封装技术的突破，使器件能够结合优异的热传递特性、超低外形封装、低栅极电荷和低rS1S2（on）。

特色

  • VGS=-4.5V时，最大rS1S2（开）=126mΩ，IS1S2=-1A
  • VGS=-2.5V时，最大rS1S2（开启）=141mΩ，IS1S2=-1A
  • VGS=-1.8V时，最大rS1S2（开启）=198mΩ，IS1S2=-1A
  • VGS=-1.5V时，最大rS1S2（开）=303mΩ，IS1S2=-1A
  • 仅占用1.5 mm²的PCB面积，小于2 x 2 BGA面积的50%
  • 超薄封装：安装到PCB上时高度小于0.65mm
  • 高功率和电流处理能力
  • HBM ESD保护等级>4 kV（注3）
  • 符合RoHS

应用

  • 本产品通用，适用于许多不同的应用。
  • 电池管理
  • 负载开关
  • 蓄电池保护

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器件图
型号
制造商
描述
价格
FDZT40RB5.1FDZT40RB5.1罗姆 (Rohm)标称齐纳电压 (Vz): 5.1 V 最大功率: 100 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SMD0402 工作温度: 150摄氏度（TJ）¥2.46259
FDZT40RB7.5FDZT40RB7.5罗姆 (Rohm)标称齐纳电压 (Vz): 7.5 V 最大功率: 100 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SMD0402 工作温度: 150摄氏度（TJ）¥2.46259
FDZT40RB5.6FDZT40RB5.6罗姆 (Rohm)标称齐纳电压 (Vz): 5.6 V 最大功率: 100 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SMD0402 工作温度: 150摄氏度（TJ）¥1.42733
FDZT40RB6.2FDZT40RB6.2罗姆 (Rohm)标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 100 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SMD0402 工作温度: 150摄氏度（TJ）¥1.47755
FDZT40RB6.8FDZT40RB6.8罗姆 (Rohm)标称齐纳电压 (Vz): 6.8 V 最大功率: 100 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: SMD0402 工作温度: 150摄氏度（TJ）¥1.85418
FDZT40RB8.2FDZT40RB8.2罗姆 (Rohm)DIODE ZENER 100MW 8.2V SMD0402¥2.46259
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FDZ2554PZFDZ2554PZ场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A 供应商设备包装: 18-BGA（2.5x4） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥4.27331
FDZ4002LFDZ4002L安盛美 (onsemi)IC POWER MANAGEMENT¥45.72731
FDZ5013C-1FDZ5013C-1DOUBLER,FREQUENCY¥0.00
FDZ1905PZ所属分类：场效应晶体管阵列，FDZ1905PZ 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDZ1905PZ价格参考￥3.664907，你可以下载 FDZ1905PZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDZ1905PZ规格参数、现货库存、封装信息等信息！

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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