9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQJ844AEP-T1_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQJ844AEP-T1_GE3参考价格为1.27000美元。Vishay Siliconix SQJ844AEP-T1_GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8。您可以下载SQJ844AEP-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SQJ844AEP-T1_GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SQJ844AEP-T1_GE3，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101、TrenchFETR系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）封装，产品名称显示在TrenchFET中使用的数据表注释中，提供PowerPAKR SO-8 Dual等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为PowerPAKR SO-8 Dual，该设备为2 N沟道（双）FET型，该设备最大功率为48W，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为1161pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为8A，Rds On Max Id Vgs为16.6 mOhm@7.6A，10V，Vgs th Max Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为26nC@10V。
SQJ840DP-T1-GE3，带有VISHAY制造的用户指南。SQJ840DP-T1-GE3采用QFN-8封装，是IC芯片的一部分。
SQJ840EPT1-GE3，电路图由VISAHY制造。SQJ840EPT1-GE3在PowerPAK®SO-8封装中提供，是IC芯片的一部分，支持MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8。
SQJ840EP-T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8。SQJ840EP-T1-GE3在PowerPAK®SO-8封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8。
