9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDY3001NZ，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDY3001NZ参考价格为1.736美元。onsemi FDY3001NZ封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 0.2A SOT-563F。您可以下载FDY3001NZ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDY3000NZ是MOSFET 2N-CH 20V 0.6A SC89，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001129盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SOT-563、SOT-666以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2信道数量的信道，该器件具有供应商设备包的SC-89-6，配置为双路，FET类型为2 N信道（双路），最大功率为446mW，晶体管类型为2 N-信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为60pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为600mA，最大Id Vgs上的Rds为700mOhm@600mA，4.5V，Vgs最大Id为1.3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为1.1nC@4.5V，Pd功耗为630mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为8ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为600mA，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds导通漏极-漏极电阻为250mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为8s，典型导通延迟时间为6ns，正向跨导最小值为1.8S，信道模式是增强。
FDY2001PZ是MOSFET 2P-CH 20V 0.15A SOT-563F，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与SC-89-6供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于PowerTrenchR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如8 Ohm@150mA，4.5V，Power Max设计为446mW，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作SOT-563、SOT-666封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有100pF@10V的输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为1.4nC@4.5V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极-源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为150mA。
FDY3000NZ-NL，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDY3000NZ-NL采用SOT-563F6L封装，是IC芯片的一部分。
