9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMG6602SVT-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMG6602SVT-7参考价格为0.42000美元。Diodes Incorporated DMG6602SVT-7封装/规格：MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6。您可以下载DMG6602SVT-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMG6601LVT-7是MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT，包括DMG6601系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SOT-23-6 Thin、TSOT-23-6等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C～150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为2信道，该设备在TSOT-26供应商设备包中提供，该设备具有N信道P信道配置，FET类型为N和P信道，最大功率为850mW，晶体管类型为1 N信道1 P信道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为422pF@15V，FET特性为逻辑电平门，25°C时电流连续漏极Id为3.8A、2.5A，最大Id Vgs的Rds为55mOhm@3.4A、10V，Vgs的最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为12.3nC@10V，Pd功耗为850mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15.6ns 2.2ns，上升时间为4.6ns 7.4ns，Id连续漏极电流为3.8A 2.5A，Vds漏极-源极击穿电压为30V 30V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.5V，Rds漏极源极导通电阻为85mOhms 190mOhms，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为31.2ns 18.3ns，典型开启延迟时间为1.6ns 1.7ns，Qg栅极电荷为5.4nC 6.5nC，信道模式为增强。
DMG6402LVT-7是MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26，包括1.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供典型的开启延迟时间特性，如3.4 ns，典型的关闭延迟时间设计为13.9 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为DMG6402系列，该器件的上升时间为6.2 ns，漏极-源极电阻Rds为30 mOhms，Qg栅极电荷为11.4 nC，Pd功耗为1.75 W，封装为卷轴式，封装盒为TSOT-23-6，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为6 A，下降时间为2.8 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
DMG6602SVT，电路图由DIODES制造。DMG6602SVT采用SOT-23-6封装，是FET阵列的一部分。
