9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIZ730DT-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIZ730DT-T1-GE3参考价格为0.83000美元。Vishay Siliconix SIZ730DT-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR。您可以下载SIZ730DT-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIZ710DT-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SIZ710DT-GE3的零件别名，该SIZ710DT-GE3提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在6-POWERPAIR？中工作？，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该设备提供2信道数信道，该设备具有6-PowerPair？供应商设备包，配置为双重，FET类型为2 N沟道（半桥），最大功率为27W、48W，晶体管类型为2 N-沟道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis Vds为820pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为16A、35A，最大Rds Id Vgs为6.8 mOhm@19A、10V，Vgs的最大Id为2.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为18nC@10V，Pd功耗为27 W 48 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为16 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，第Vgs栅极-源极阈值电压为1V至2.2V，Rds漏极-源极电阻为5.5mOhms 2.7mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为11.5nC 38nC，正向跨导Min为45S 85S。
SIZ728DT-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR，包括2.2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于25 V，提供晶体管类型功能，如2 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该设备还可以用作6-PowerPair？供应商设备包。此外，该系列是TrenchFETR，该器件的上升时间为15 ns 18 ns，该器件具有7.7 mOhm@18A，10V的Rds On Max Id Vgs，Rds On Drain Source电阻为6.3 mOhms 2.9 mOhms，最大功率为27W、48W，Pd功耗为2.5 W 3 W，部件别名为SIZ728DT-GE3，封装为Digi-ReelR交替封装，包装盒为6-PowerPair？，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Cis-Vds为890pF@12.5V，Id连续漏电流为14.2A，栅极电荷Qg Vgs为26nC@110V，正向跨导最小值为37 S 80 S，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为逻辑电平门，下降时间为10 ns，漏极到源极电压Vdss为25V，电流连续漏极Id为25°C，16A，35A，配置为双重。
SIZ720DT-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 20V 16A电源对，包括16A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型的特性，如2 N沟道（半桥），栅极电荷Qg Vgs设计为在23nC@10V下工作，以及825pF@10V输入电容Cis Vds，该器件也可以用作表面安装型。此外，安装类型为SMD/SMT，该器件提供2通道数量的通道，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），封装外壳为6-PowerPair？，包装为磁带和卷轴（TR），最大功率为27W、48W，最大Id Vgs的Rds为8.7 mOhm@16.8A、10V，系列为TrenchFETR，供应商设备包为6-PowerPair？，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2N沟道，Vgs最大Id为2V@250μA。
