DMG6601LVT-7

Name: DMG6601LVT-7
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 7120161-DMG6601LVT-7
Price: 3.042018 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: N和P通道场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A, 2.5A 供应商设备包装: TSOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
交期:5-7 工作日

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1+	3.04201	3.04201
10+	2.29599	22.95999
100+	1.43192	143.19210
500+	0.97982	489.91000
1000+	0.75369	753.69600
3000+	0.67829	2034.89400
6000+	0.64063	3843.81000

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规格参数

部件状态可供货
安装类别表面安装
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
场效应管特性逻辑电平门
漏源电压标 (Vdss) 30伏
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
场效应管类型 N和P通道
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
包装/外壳 SOT-23-6薄型，TSOT-23-6
供应商设备包装 TSOT-23
漏源电流 (Id) @ 温度 3.8A, 2.5A
导通电阻 Rds(ON) 55毫欧姆 @ 3.4A, 10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12.3nC@10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 422皮法 @ 15V
最大功率 850mW

DMG6601LVT-7 产品详情

该MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（on）），同时保持优异的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

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型号	制造商	描述	价格
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DMG1553-2	因瑞康有限公司 (iNRCORE)	TRANSFORMER PBC	¥50.14845
DMG1553-3	因瑞康有限公司 (iNRCORE)	TRANSFORMER PBC	¥69.88993
DMG1553-45	因瑞康有限公司 (iNRCORE)	TRANSFORMER PBC	¥50.84806
DMG1553-5	因瑞康有限公司 (iNRCORE)	TRANSFORMER PBC	¥60.67193
DMG3415UFY4-7	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 16伏漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta）最大功耗: 400mW (Ta) 供应商设备包装: DFN2015H4-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥6.92421
DMG2305UX	台舟 (TECH PUBLIC)	暂无	¥0.58748
DMG1013T	台舟 (TECH PUBLIC)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 功率(Pd)：280mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：610mΩ@4.5V,550mA	¥0.38002
DMG1012T	台舟 (TECH PUBLIC)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：280mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：180mΩ@4.5V,550mA	¥0.43904
DMG2302UK-7-ES	静芯微 (ElecSuper)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.5A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：36mΩ@10V,3.5A	¥0.1939

DMG6601LVT-7所属分类：场效应晶体管阵列，DMG6601LVT-7 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMG6601LVT-7价格参考￥3.042018，你可以下载 DMG6601LVT-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMG6601LVT-7规格参数、现货库存、封装信息等信息！