9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIZ342DT-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIZ342DT-T1-GE3参考价格为0.97000美元。Vishay Siliconix SIZ342DT-T1-GE3封装/规格：MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3。您可以下载SIZ342DT-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIZ340DT-T1-GE3，带有引脚细节，包括PowerPAIRR、TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供TrenchFET等商品名功能，封装盒设计为在8-PowerWDFN中工作，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有8功率33（3x3）的供应商器件封装，配置为双路，FET类型为2 N通道（半桥），最大功率为16.7W、31W，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为760pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为30A、40A，最大Id Vgs为9.5mOhm@15.6A、10V，Vgs最大Id为2.4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为19nC@10V，Pd功耗为16.7W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为55ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为30A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs第h栅极-源阈值电压为2.4V，Rds导通漏极-漏极电阻为9.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16ns，典型导通延迟时间为13ns，Qg栅极电荷为12.3nC，信道模式为增强。
SIZ300DT-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 11A功率对，包括2.4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于2.4 V Vgs th栅极-源极阈值电压，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，如30 V，晶体管类型设计用于2 N沟道，该器件还可以用作Si技术。此外，供应商设备包为8-PowerPairR，该设备为TrenchFETR系列，该设备具有45 ns 80 ns的上升时间，Rds On Max Id Vgs为24 mOhm@9.8A，10V，Rds On漏极-源极电阻为20 mOhm 9 mOhm，Qg栅极电荷为7.4 nC 14.2 nC，功率最大值为16.7W，31W，Pd功耗为3.7 W 4.2 W，零件别名为SIZ300DT-GE3，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-PowerWDFN，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，输入电容Cis-Vds为400pF@15V，Id连续漏极电流为9.8A，栅极电荷Qg-Vgs为12nC@10V，正向跨导最小值为30 S，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为逻辑电平门，下降时间为10 ns 40 ns，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为11A、28A，配置为双。
SIXP220A，带有INTEL制造的电路图。SIXP220A在PQFP封装中提供，是IC芯片的一部分。
SIZ-011KJT，带有MITSUMI制造的EDA/CAD模型。SIZ-011KJT在MIT封装中提供，是IC芯片的一部分。
