 | SIZ260DT-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.9A (Ta), 24.7A (Tc), 8.9A (Ta), 24.6A (Tc) 供应商设备包装: 8-PowerPair (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥9.12605 |
 | SIZ918DT-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A、28A 供应商设备包装: 8-PowerPair (6x5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥9.4882 |
 | SIZ270DT-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc) 供应商设备包装: 8-PowerPair (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥10.71949 |
 | SIZ346DT-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc）、30A（Tc） 供应商设备包装: 8-Power33 (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.5046 |
 | SIZ342ADT-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15.7A（Ta）、33.4A（Tc） 供应商设备包装: 8-Power33 (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.51861 |
 | SIZ340ADT-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc), 25.4A (Ta), 69.7A (Tc) 供应商设备包装: 8-Power33 (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥8.40176 |
 | SIZ988DT-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc), 60A (Tc) 供应商设备包装: 8-PowerPair 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥9.70549 |
 | SIZF906BDT-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2 N通道（双通道），肖特基 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc) 供应商设备包装: 8-PowerPair (6x5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.53022 |
 | Size 675 | 微动力电池公司 (Micropower) | 电池化学物质成份: Zinc Air 额定电压: 1.45伏 电芯尺寸: 硬币，11.6毫米 端接样式: 需要支架 大小/尺寸: 0.45“直径x 0.21”高（11.6毫米x 5.4毫米） 包装: 零售套餐 | ¥2.04011 |
 | SIZ250DT-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、38A（Tc） 供应商设备包装: 8-PowerPair (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥9.12605 |
