9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMG1023UVQ-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMG1023UVQ-7参考价格为0.10276美元。Diodes Incorporated DMG1023UVQ-7封装/规格：MOSFET BVDSS:8V-24V SOT563。您可以下载DMG1023UVQ-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMG1016V-7是MOSFET N/P-CH 20V SOT563，包括DMG1016系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000106盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于SOT-563、SOT-666以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2信道数量的信道，该器件具有供应商器件封装的SOT-563，配置为1 N信道1 P信道，FET类型为N和P信道，最大功率为530mW，晶体管类型为1 N通道1 P信道、漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为60.67pF@16V，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为870mA、640mA，最大Id Vgs为400mOhm@600mA、4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为0.74nC@4.5V，Pd功耗为530 mW，其最大工作温度范围为+150℃，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为12.3 ns 20.7 ns，上升时间为7.4 ns 8.1 ns，Vgs栅极-源极电压为6 V，Id连续漏极电流为870 mA 640 mA，Vds漏极-源极击穿电压为20 V 20 V，Rds漏极源极电阻为700 mOhms 1.3 Ohms，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为26.7nS 28.4nS，典型接通延迟时间为5.1ns 5.1ns，Qg栅极电荷为736.6pC622.4pC，正向跨导最小值为1.4S-0.9S。
带有用户指南的DMG1016VQ-13，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与Si技术一起工作，数据表说明中显示了SOT-563中使用的供应商设备包，该产品提供了DMG1016、Rds on Max Id Vgs等系列功能，设计为在400 mOhm@600mA、4.5V以及530mW功率最大值下工作，该设备还可以用作磁带和卷轴（TR）封装。此外，封装外壳为SOT-563、SOT-666，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），器件具有安装型表面安装，输入电容Ciss Vds为60.67pF@16V，栅极电荷Qg Vgs为0.74nC@4.5V，FET类型为N和P沟道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏电流Id为870mA、640mA。
带有电路图的DMG1016VQ-7，包括870mA、640mA电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，FET特性如数据表注释所示，用于逻辑电平门，提供N和P通道等FET类型特性，栅极电荷Qg Vgs设计为在0.74nC@4.5V下工作，除了60.67pF@16V输入电容Ciss Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用SOT-563、SOT-666封装盒，该器件具有封装带和卷轴（TR），最大功率为530mW，最大Id Vgs上的Rds为400 mOhm@600mA、4.5V，系列为DMG1016，供应商设备包为SOT-563，技术为Si，Vgs th Max Id为1V@250μA。
DMG1016V-17，带有DIODES制造的EDA/CAD模型。DMG1016V-17采用SOT-563封装，是IC芯片的一部分。
