9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIZ704DT-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIZ704DT-T1-GE3参考价格为1.18000美元。Vishay Siliconix SIZ704DT-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 12A PPAK 1212-8。您可以下载SIZ704DT-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIZ340DT-T1-GE3，带有引脚细节，包括PowerPAIRR、TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供TrenchFET等商品名功能，封装盒设计为在8-PowerWDFN中工作，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有8功率33（3x3）的供应商器件封装，配置为双路，FET类型为2 N通道（半桥），最大功率为16.7W、31W，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为760pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为30A、40A，最大Id Vgs为9.5mOhm@15.6A、10V，Vgs最大Id为2.4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为19nC@10V，Pd功耗为16.7W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为55ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为30A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs第h栅极-源阈值电压为2.4V，Rds导通漏极-漏极电阻为9.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16ns，典型导通延迟时间为13ns，Qg栅极电荷为12.3nC，信道模式为增强。
SIZ700DT-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8，包括2.2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于16V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于20V，提供典型的开启延迟时间功能，如8 ns 12 ns，典型的关闭延迟时间设计为25 ns 47 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术是Si，该设备提供6-PowerPair？供应商设备包，该设备具有串联的TrenchFETR，上升时间为9 ns 8 ns，Rds On Max Id Vgs为8.6 mOhm@15A、10V，Rds On Drain Source电阻为7 mOhm 4.7 mOhm，功率最大值为2.36W、2.8W，Pd功耗为2.36 W 2.8 W，零件别名为SIZ700DT-GE3，包装为磁带和卷轴（TR），包装盒为6-PowerPair？，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Cis-Vds为1300pF@10V，Id连续漏电流为16 A，栅极电荷Qg Vgs为35nC@110V，正向跨导最小值为60S 100S，FET类型为2N沟道（半桥），FET特性为标准，下降时间为8ns 10ns，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id为25°C，配置为双通道，通道模式为增强型。
SIZ702DT-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 16A电源对，包括16A电流连续漏极Id 25°C，设计用于30V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N沟道（半桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于21nC@10V，除了16 A Id连续漏极电流外，该器件还可以用作790pF@15V输入电容Cis-Vds，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件具有安装类型的表面安装，安装类型为SMD/SMT，信道数为2信道，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），包装箱为6-PowerPair？，封装为Digi-ReelR交替封装，零件别名为SIZ702DT-GE3，Pd功耗为27W，功率最大值为27W、30W，漏极-源极电阻Rds为12 mOhm，最大值Rds Id Vgs为12mOhm@13.8A、10V，系列为TrenchFETR，供应商设备封装为6-PowerPair？，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2N沟道，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs最大Id为2.5V@250μA。
