SQJ262EP-T1_GE3

Name: SQJ262EP-T1_GE3
Brand: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
SKU: 7120414-SQJ262EP-T1_GE3
Price: 10.284918 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Tc）、40A（Tc 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双不对称工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
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500+	5.93396	2966.98150
1000+	4.68470	4684.70800
3000+	4.68470	14054.12400

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规格参数

部件状态可供货
安装类别表面安装
场效应管特性标准
场效应管类型 2个N通道（双通道）
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
制造厂商黑森尔 (Vishay Siliconix)
包装/外壳 PowerPAKSO-8双
漏源电压标 (Vdss) 60V
最大功率 27W（Tc）、48W（Tc）
供应商设备包装 PowerPAKSO-8双不对称
漏源电流 (Id) @ 温度 15A（Tc）、40A（Tc
导通电阻 Rds(ON) 35.5毫欧姆 @ 2A, 10V, 15.5毫欧姆 @ 5A, 10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10nC @ 10V, 23nC @ 10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 550皮法 @ 25V, 1260皮法 @ 25V

SQJ262EP-T1_GE3 产品详情

Vishay SQJ200和SQJ202双N通道汽车MOSFET是AEC-Q101认证的汽车MOSFET，适用于汽车应用。这些双N沟道MOSFET是TrenchFET功率MOSFET系列的一部分。MOSFET封装在SO-8L封装类型中。SQJ200具有20VDS的漏极-源极电压，而SQJ202具有12VDS的源极-漏极电压。两者的栅极-源极电压均为�20

MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO

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SQJ262EP-T1_GE3所属分类：场效应晶体管阵列，SQJ262EP-T1_GE3 由黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SQJ262EP-T1_GE3价格参考￥10.284918，你可以下载 SQJ262EP-T1_GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SQJ262EP-T1_GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！