9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIZ720DT-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIZ720DT-T1-GE3参考价格为0.71775美元。Vishay Siliconix SIZ720DT-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 16A电源对。您可以下载SIZ720DT-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIZ710DT-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SIZ710DT-GE3的零件别名，该SIZ710DT-GE3提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在6-POWERPAIR？中工作？，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该设备提供2信道数信道，该设备具有6-PowerPair？供应商设备包，配置为双重，FET类型为2 N沟道（半桥），最大功率为27W、48W，晶体管类型为2 N-沟道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis Vds为820pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为16A、35A，最大Rds Id Vgs为6.8 mOhm@19A、10V，Vgs的最大Id为2.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为18nC@10V，Pd功耗为27 W 48 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为16 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，第Vgs栅极-源极阈值电压为1V至2.2V，Rds漏极-源极电阻为5.5mOhms 2.7mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为11.5nC 38nC，正向跨导Min为45S 85S。
SIZ704DT-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 12A PPAK 1212-8，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表说明中显示了用于2 N沟道的晶体管类型，它提供了晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及6-PowerPair？供应商设备包，该设备也可以用作TrenchFETR系列。此外，Rds On Max Id Vgs为24 mOhm@7.8A，10V，器件提供24 mOhms 13.5 mOhms Rds On Drain Source电阻，器件最大功率为20W，30W，Pd功耗为20 W 30 W，零件别名为SIZ704DT-GE3，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为6-PowerPair？，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，输入电容Ciss Vds为435pF@15V，Id连续漏电流为12 A 16 A，栅极电荷Qg Vgs为12nC@10V，FET类型为2 N通道（半桥），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C的电流连续漏极Id为12A、16A，配置为双重。
SIZ710DT，带有VISHAY制造的电路图。SIZ710DT在QFN封装中提供，是FET阵列的一部分。
