9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQJ968EP-T1_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQJ968EP-T1_GE3参考价格1.15000美元。Vishay Siliconix SQJ968EP-T1_GE3封装/规格：MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8。您可以下载SQJ968EP-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到所需的产品，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，如SQJ968EP-T1_GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SQJ960EP-T1_GE3，带引脚细节，包括TrenchFETR系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及PowerPAKR SO-8双包装箱，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有PowerPAKR SO-8双电源器件封装，配置为双电源，FET类型为2 N沟道（双），最大功率为34W，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为735pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为8A，最大Id Vgs的Rds为36 mOhm@5.3A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为20nC@10V，Pd功耗为34 W，其最大工作温度范围为+175 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为7 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为8 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Vgs第栅极-源阈值电压为2.5 V，Rds漏极源极电阻为30 mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型接通延迟时间为6ns，Qg栅极电荷为13nC，正向跨导Min为16S。
SQJ962EP-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于PowerPAKR SO-8双供应商器件封装，系列如数据表注释所示，用于TrenchFETR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如60 mOhm@4.3A，10V，Power Max设计用于25W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作PowerPAKR SO-8双封装外壳，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有475pF@25V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为14nC@110V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极-源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为8A。
SQJ964EPT1-GE3，电路图由VISAHY制造。SQJ964EPT1-GE3采用SMD封装，是IC芯片的一部分。
SQJ964EP-T1-GE3是由VISHAY制造的Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5引脚（4+Tab）PowerPAK SO T/R。SQJ964EP-T1-GE3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分，支持Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5引脚（4+Tab）PowerPAK SO T/R。
