9icnet为您提供由IXYS-RF设计和生产的IXZ210N50L2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXZ210N50L2参考价格为22.43000美元。IXYS-RF IXZ210N50L2封装/规格：RF MOSFET N沟道DE275。您可以下载IXZ210N50L2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXYY8N90C3，带有引脚细节，包括GenX3？，XPT？系列，它们设计用于管式包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于XPT，以及to-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63包装盒，该设备也可作为标准输入类型。此外，安装类型为表面安装，该设备在TO-252供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，最大功率为125W，集电器Ic最大值为20A，集电器-发射器击穿最大值为900V，集电器脉冲Icm为48A，最大Vge Ic上的Vce为2.5V@15V，8A，开关能量为460μJ（开），180μJ（关），栅极电荷为13.3nC，25°C时的Td为16ns/40ns，测试条件为450V、8A、30 Ohm、15V，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为900 V，集电极/发射极饱和电压为2.5 V，25 C时的连续集电极电流为20 A，且栅极发射极漏电流为100nA，且最大栅极发射极电压为+/-20V。
IXYX120N120C3带用户指南，包括1200V电压收集器发射器击穿最大值，它们设计用于3.2V@15V，120A Vce on Max Vge Ic，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，提供XPT GenX3等商品名称功能，测试条件设计用于600V、100A、1 Ohm、15V，以及35ns/176ns Td开/关25°C，该器件还可以用作6.75mJ（开）、5.1mJ（关）开关能量。此外，供应商设备包是PLUS247-3、该设备在GenX3？中提供？，XPT？系列，该器件的最大功率为1500W，封装为管式，封装外壳为TO-247-3，安装类型为通孔，安装类型是通孔，输入类型为标准，栅极电荷为412nC，集电器脉冲Icm为700A，集电器最大Ic为240A。
IXYX140N90C3是IGBT 900V 310A 1630W TO247，包括310A集电器Ic Max，它们设计用于840A集电器脉冲Icm，栅极电荷如数据表注释所示，用于330nC，提供标准输入类型功能，安装类型设计用于通孔，以及to-247-3封装盒，该装置也可以用作管包装。此外，最大功率为1630W，该设备在GenX3？中提供？，XPT？系列，该设备具有PLUS247-3供应商设备包，开关能量为4.3mJ（开），4mJ（关），25°C时的Td为40ns/145ns，测试条件为450V，100A，1 Ohm，15V，商品名为XPT GenX3，最大Vge Ic上的Vce为2.7V@15V，140A，集电极-发射极击穿最大值为900V。
IXYX40N450HV，带EDA/CAD模型，包括管包装。
