特色
- 高隔离电压
- 优异的热传递
- 提高温度和功率循环能力
- IXYS先进的低Qg工艺
- 低栅极电荷和电容提供更容易驱动和更快切换
- 非常低的插入电感
- 无氧化铍（BeO）或其他有害物质
- 易于安装，无需绝缘体
- 高功率密度
应用
HVAC、电源管理、工业
IXZ308N120
- 描述:晶体管类别: n通道 额定电压: 1200伏 额定电流（单位：安培）: 8A 频率: 65MHz 输出端功率: 880W 供应商设备包装: DE375
- 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥1,787.56221
-
数量:
- +
- 总计: ¥1,787.56
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规格参数
- 部件状态 过时的
- 噪声系数 -
- 电流检测值 -
- 晶体管类别 n通道
- 频率 65MHz
- 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 电压检测值 100伏
- 包装/外壳 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
- 增益 23分贝
- 额定电流（单位：安培） 8A
- 额定电压 1200伏
- 供应商设备包装 DE375
- 输出端功率 880W
- 材质 -
IXZ308N120 产品详情
IXZ308N120是一款1200V N沟道增强型RF功率MOSFET，具有低RDS（on），非常适合激光驱动器、感应加热、开关电源和开关工业应用。
IXZ308N120 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IXZ210N50L2 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 晶体管类别: n通道 额定电压: 500 V 额定电流（单位：安培）: 10A 频率: 70MHz 输出端功率: 390瓦 供应商设备包装: DE275 | ¥162.45825 |
 | IXZ2210N50L2 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 晶体管类别: 2个N通道（双通道） 额定电压: 500 V 额定电流（单位：安培）: 10A 频率: 70MHz 输出端功率: 270瓦 | ¥446.04675 |
| IXZ308N120 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 晶体管类别: n通道 额定电压: 1200伏 额定电流（单位：安培）: 8A 频率: 65MHz 输出端功率: 880W 供应商设备包装: DE375 | ¥1,787.56221 |
 | IXZ-2510 | 应美盛 (TDK InvenSense) | 种类: 数字的 输出类别: IOC、 SPI 电源电压: 1.71V~3.6V 工作电流: 2.8毫安 包装/外壳: 16-VFQFN外露焊盘 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度（TA） | ¥1,362.77457 |
 | IXZ-2020 | 应美盛 (TDK InvenSense) | 种类: 数字的 输出类别: IOC、 SPI 电源电压: 1.71V~3.6V 工作电流: 2.9毫安 包装/外壳: 16-WFLGA Module 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥1,288.73199 |
| IXZ-2500 | 应美盛 (TDK InvenSense) | MEMS GYROSCOPE | ¥1,672.90635 |
| IXZ-2021 | 应美盛 (TDK InvenSense) | 种类: 数字的 输出类别: IOC、 SPI 电源电压: 1.71V~3.6V 工作电流: 2.9毫安 包装/外壳: 16-WFLGA Module 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 | ¥1,491.94431 |
| IXZ-650 | EVBS | ¥0.00 | |
| IXZ-500 | EVBS | ¥0.00 | |
| IXZ-2010 | EVBS | ¥0.00 |
IXZ308N120所属分类：场效应射频晶体管，IXZ308N120 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXZ308N120价格参考￥1787.562206，你可以下载 IXZ308N120中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXZ308N120规格参数、现货库存、封装信息等信息！
艾赛斯.力特 (IXYS)
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