9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的LET20030C，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。LET20030C参考价格为80.60000美元。STMicroelectronics LET20030C封装/规格：FET RF 80V 2GHZ M243。您可以下载LET20030C英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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LET16060C是RF MOSFET晶体管RF PWR Trans LdMOST N-Ch 60W 13.8dB 1600，包括LET16060系列，它们设计为与RF功率MOSFET类型一起工作，封装如数据表注释所示，用于散装，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计为在M243以及Si技术中工作，该器件也可以用作13.8dB增益。此外，输出功率为60W，器件提供100W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，工作频率为1.6GHz，Vgs栅极-源极电压为15V，Id连续漏极电流为12A，Vds漏极-源极击穿电压为80V，晶体管极性为N沟道。
LET16045C是RF功率MOSFET晶体管RF PWR Trans LdMOST N-Ch 45W 16dB 1600，包括15 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在80 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，类型如数据表注释所示，用于RF功率MOSFET，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及LET16045系列，该器件也可以用作100W Pd功率耗散。此外，该封装为散装，该器件采用M243封装盒，该器件输出功率为45W，工作频率为1.6GHz，安装方式为SMD/SMT，最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为9A，增益为16dB。
L-ET1310R1M，带有LSI制造的电路图。L-ET1310R1M采用LCC48封装，是IC芯片的一部分。
