9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的LET9060S，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。LET9060S参考价格为59.53000美元。STMicroelectronics LET9060S封装/规格：IC RF功率MOSFET N-CH PWRSO10。您可以下载LET9060S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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LET9060C是MOSFET N-CH 80V 12A M-243，包括LET9060系列，它们设计为与RF功率MOSFET类型一起工作，封装如数据表注释所示，用于散装，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计为在M243以及Si技术中工作，该器件也可以在945 MHz增益下用作18 dB。此外，输出功率为90 W，器件提供130 W Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，工作频率为1 GHz，Vgs栅极-源极电压为15 V，Id连续漏极电流为12 A，Vds漏极-源极击穿电压为80 V，晶体管极性为N沟道。
LET9060F是RF MOSFET晶体管RF功率LdmoST 60W 18 dB 945MHz，包括15 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在80 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，类型如数据表注释所示，用于RF功率MOSFET，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si以及LET9060系列中工作，该器件也可以用作130W Pd功率耗散。此外，该封装为散装封装，该器件采用M250封装盒，该器件的输出功率为90 W，工作频率为1 GHz，安装类型为SMD/SMT，其最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为12 a，945 MHz时的增益为18 dB。
LET9060是RF MOSFET晶体管RF PWR Trans LdmoST N-Ch 28V 1GHz ESD，包括17.2 dB增益，设计用于1 GHz工作频率，输出功率如数据表注释所示，用于60 W，提供封装外壳功能，如PowerSO-10RF（成型铅），封装设计用于管内，该器件也可以用作Si技术。此外，该类型为RF功率MOSFET。
