特色
- 低压（1.2V）驱动类型
- Pch小信号MOSFET
- 小型表面安装组件
- 无铅/符合RoHS
RZM001P02T2CL
- 描述:MOSFET 2P-CH 20V EMT6
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥7.40224
-
数量:
- +
- 总计: ¥7.40
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 -
- 场效应管特性 -
- 漏源电压标 (Vdss) -
- 漏源电流 (Id) @ 温度 -
- 导通电阻 Rds(ON) -
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
- 最大功率 -
- 工作温度 -
- 安装类别 -
- 包装/外壳 -
- 供应商设备包装 -
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
RZM001P02T2CL 产品详情
P沟道MOSFET晶体管
RZM001P02T2CL 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| RZM001P02T2CL | 罗姆 (Rohm) | MOSFET 2P-CH 20V EMT6 | ¥7.40224 |
 | RZM001P02T2L | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安（Ta） 最大功耗: 150mW（Ta） 供应商设备包装: VMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.15427 |
 | RZM002P02T2L | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安（Ta） 最大功耗: 150mW（Ta） 供应商设备包装: VMT3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.22236 |
| RZM021FP | 暂无 | ¥13.79891 | |
| RZM002P02MGT2L | 罗姆 (Rohm) | ¥0.30493 |
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
