9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMG1024UV-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMG1024UV-7价格参考$4.44000。Diodes Incorporated DMG1024UV-7封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 1.38A SOT563。您可以下载DMG1024UV-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMG1023UV-7是MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563，包括DMG1023系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.000106盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SOT-563、SOT-666以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-563，配置为双通道，FET类型为2 P通道（双通道），最大功率为530mW，晶体管类型为2 P-通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为59.76pF@16V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为1.03A，最大Id Vgs的Rds为750 mOhm@430mA，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为0.62nC@4.5V，Pd功耗为530 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20.7 ns，上升时间为8.1ns，Vgs栅极-源极电压为6V，Id连续漏极电流为1.03A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为500mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为28.4ns，典型导通延迟时间为5.1ns，Qg栅极电荷为622.4pC，正向跨导Min为0.9S。
带有用户指南的DMG1016VQ-13，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与Si技术一起工作，数据表说明中显示了SOT-563中使用的供应商设备包，该产品提供了DMG1016、Rds on Max Id Vgs等系列功能，设计为在400 mOhm@600mA、4.5V以及530mW功率最大值下工作，该设备还可以用作磁带和卷轴（TR）封装。此外，封装外壳为SOT-563、SOT-666，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），器件具有安装型表面安装，输入电容Ciss Vds为60.67pF@16V，栅极电荷Qg Vgs为0.74nC@4.5V，FET类型为N和P沟道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏电流Id为870mA、640mA。
带有电路图的DMG1016VQ-7，包括870mA、640mA电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，FET特性如数据表注释所示，用于逻辑电平门，提供N和P通道等FET类型特性，栅极电荷Qg Vgs设计为在0.74nC@4.5V下工作，除了60.67pF@16V输入电容Ciss Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用SOT-563、SOT-666封装盒，该器件具有封装带和卷轴（TR），最大功率为530mW，最大Id Vgs上的Rds为400 mOhm@600mA、4.5V，系列为DMG1016，供应商设备包为SOT-563，技术为Si，Vgs th Max Id为1V@250μA。
