9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDZ2554PZ，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDZ2554PZ参考价格为0.862美元。onsemi FDZ2554PZ封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 6.5A BGA。您可以下载FDZ2554PZ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDZ2553N是MOSFET 2N-CH 20V 9.6A BGA，包括PowerTrenchR系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）封装一起工作，包装箱如数据表注释所示，用于18-WFBGA，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计为表面安装，以及18-BGA（2.5x4）供应商设备包，该器件也可以用作2N沟道（双）FET型。此外，最大功率为2.1W，该器件提供20V漏极到源极电压Vdss，该器件具有1299pF@10V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为9.6A，最大Id Vgs上的Rds为14mOhm@9.6A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为17nC@4.5V。
FDZ2554P是MOSFET 2P-CH 20V 6.5A BGA，包括1.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与18-BGA（2.5x4）供应商设备包一起工作，系列如数据表说明所示，用于PowerTrenchR，提供Rds on Max Id Vgs功能，如28 mOhm@6.5A，4.5V，功率最大设计为2.1W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作18-WFBGA封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有1900pF@10V的输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为20nC@4.5V，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C的电流连续漏电流Id为6.5A。
FDZ2553NZ是MOSFET 2N-CH 20V 9.6A BGA，包括9.6A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在20V漏极到源极电压Vdss下工作，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在18nC@5V下工作，除了1240pF@10V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备采用18-WFBGA封装盒，该设备具有封装的磁带和卷轴（TR），最大功率为2.1W，最大Id Vgs上的Rds为14mOhm@9.6A，4.5V，系列为PowerTrenchR，供应商器件封装为18-BGA（2.5x4），Vgs th Max Id为1.5V@250μA。
