9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的DMG6968UDM-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMG6968UDM-7参考价格为0.51000美元。Diodes Incorporated DMG6968UDM-7封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26。您可以下载DMG6968UDM-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMG6968U-7是MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23，包括DMG6968系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.3W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为151pF@10V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为6.5A（Ta），最大Id Vgs的Rds为25 mOhm@6.5A，4.5V，Vgs的最大Id为900mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为8.5nC@4.5V，Pd功耗为810 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为205 ns，上升时间为66ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为6.5A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds导通漏极-漏极电阻为25mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为613ns，典型导通延迟时间为54ns，沟道模式为增强型。
DMG6968U-7-F，带有DIODES制造的用户指南。DMG6968U-7-F采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
带有电路图的DMG6968U-7-F/2N4 DMG6968-U-7-F/2N4以SOT23-3封装形式提供，是IC芯片的一部分。
