一般说明
该P沟道2.5V专用MOSFET采用了Fairchild先进PowerTrench工艺的坚固栅极版本。已针对电源管理进行了优化
应用范围广泛的栅极驱动电压（2.5V–12V）。
特征
–0.6 A，–20 V Rds（开启）=420 mΩ@ VGS=–4.5伏
Rds（开）=630 mΩ@ VGS=–2.5伏
低栅极电荷
用于极低Rds的高性能沟槽技术（开启）
紧凑型行业标准SC70-6表面安装组件
一般说明
该P沟道2.5V专用MOSFET采用了Fairchild先进PowerTrench工艺的坚固栅极版本。已针对电源管理进行了优化
应用范围广泛的栅极驱动电压（2.5V–12V）。
特征
–0.6 A，–20 V Rds（开启）=420 mΩ@ VGS=–4.5伏
Rds（开）=630 mΩ@ VGS=–2.5伏
低栅极电荷
用于极低Rds的高性能沟槽技术（开启）
紧凑型行业标准SC70-6表面安装组件
特色
- –0.6 A，–20 V。
- RDS（ON）=420 mΩ@VGS=–4.5 V
- RDS（ON）=630 mΩ@VGS=–2.5 V
- 低栅极电荷
- 用于极低RDS（ON）的高性能沟槽技术
- 紧凑型行业标准SC70-6表面安装封装
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
