特色
- 25 V，0.22 A连续，0.65 A峰值。
- RDS（开）=4Ω@VGS=4.5 V，
- RDS（开）=5Ω@VGS=2.7 V。
- 极低水平的栅极驱动要求，允许在3 V电路中直接操作（VGS（th）<1.5 V）。
- 用于ESD耐用性的栅源齐纳（>6kV人体模型）。
- 紧凑型行业标准SC70-6表面安装封装。
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
FDG6301N-F085P
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 220毫安（Ta） 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥9.32886
-
数量:
- +
- 总计: ¥9.33
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- 部件状态 过时的
- 最大功率 300mW
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
- 漏源电压标 (Vdss) 25伏
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 9.5皮法 @ 10V
- 供应商设备包装 SC-70-6
- 导通电阻 Rds(ON) 4欧姆 @ 220毫安, 4.5V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 220毫安（Ta）
FDG6301N-F085P 产品详情
这些双N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管使用专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺特别适合于最小化导通电阻。该器件特别设计用于低压应用，作为双极数字晶体管和小信号MOSFET的替代品。
FDG6301N-F085P 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDG.1B.110.CZZ | 瑞士雷莫 (LEMO) | 连接端子种类: 插入外壳 外壳材质: 黄铜 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥184.83881 |
| FDG.1B.304.CLAD52 | 瑞士雷莫 (LEMO) | 连接端子种类: 插头，公销 主要材质: 金属 针位数: four 连接头表面工艺: 金 端接: 焊杯 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥410.16543 |
| FDG.1B.306.CLAD62Z | 瑞士雷莫 (LEMO) | 连接端子种类: 插头，公销 主要材质: 金属 针位数: 6 端接: 焊杯 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥429.35911 |
| FDG.1B.307.CLAD42 | 瑞士雷莫 (LEMO) | 连接端子种类: 插头，公销 主要材质: 金属 针位数: 7 连接头表面工艺: 金 端接: 焊杯 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥451.73967 |
| FDG.1B.307.CLAD42Z | 瑞士雷莫 (LEMO) | 连接端子种类: 插头，公销 主要材质: 金属 针位数: 7 连接头表面工艺: 金 端接: 焊杯 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥451.73967 |
| FDG.1B.307.CLAD52 | 瑞士雷莫 (LEMO) | 连接端子种类: 插头，公销 主要材质: 金属 针位数: 7 连接头表面工艺: 金 端接: 焊杯 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥451.73967 |
| FDG.1B.307.CLAD52Z | 瑞士雷莫 (LEMO) | 连接端子种类: 插头，公销 主要材质: 金属 针位数: 7 连接头表面工艺: 金 端接: 焊杯 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥451.73967 |
| FDG.1B.307.CYCD42Z | 瑞士雷莫 (LEMO) | 连接端子种类: 插头，公销 主要材质: 金属 针位数: 7 连接头表面工艺: 金 端接: 压接 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥482.66686 |
| FDG.1B.307.CLAM27Z | 瑞士雷莫 (LEMO) | 连接端子种类: 插头，公销 主要材质: 金属 针位数: 7 端接: 焊杯 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥487.95417 |
| FDG.1B.306.CLAD76 | 瑞士雷莫 (LEMO) | 连接端子种类: 插头，公销 主要材质: 金属 针位数: 6 连接头表面工艺: 金 端接: 焊杯 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥433.63242 |
FDG6301N-F085P所属分类：场效应晶体管阵列，FDG6301N-F085P 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDG6301N-F085P价格参考￥9.328855，你可以下载 FDG6301N-F085P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDG6301N-F085P规格参数、现货库存、封装信息等信息！
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onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
