NTJD1155L是双沟道MOSFET。该MOSFET具有P沟道和N沟道的特点，可用于低控制信号、低电池电压和高负载电流。N沟道具有内部ESD保护，可由低至1.5V的逻辑信号驱动，而P沟道设计用于负载切换应用。P沟道也采用ON半导体的沟槽技术设计。
特色
Nch+Pch MOSFET导通电阻Nch:RDS（开）1=34mΩ（典型值）Pch:RDS（开）1=65mΩ（典型）1.8V驱动器无卤合规
EMH2604-TL-H
- 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A、3A 供应商设备包装: 8-EMH 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
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- 单价: ¥1.81073
-
数量:
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 场效应管类型 N和P通道
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 部件状态 过时的
- 包装/外壳 8-SMD, Flat Lead
- 最大功率 1.2瓦
- 漏源电流 (Id) @ 温度 4A、3A
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 345皮法 @ 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 4.7nC @ 4.5V
- 供应商设备包装 8-EMH
- 导通电阻 Rds(ON) 45毫欧姆 @ 4A, 4.5V
EMH2604-TL-H 产品详情
双N/P沟道MOSFET，ON半导体
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EMH2604-TL-H所属分类：场效应晶体管阵列，EMH2604-TL-H 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。EMH2604-TL-H价格参考￥1.810725，你可以下载 EMH2604-TL-H中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询EMH2604-TL-H规格参数、现货库存、封装信息等信息！
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onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
