NVMFD5853NLT1G
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 11.58864 | 11.58864 |
- 库存: 3
- 单价: ¥12.74750
-
数量:
- +
- 总计: ¥11.59
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.4V@250A.
- 漏源电压标 (Vdss) 40伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 23nC @ 10V
- 最大功率 3瓦
- 包装/外壳 8-PowerTDFN
- 供应商设备包装 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
- 部件状态 上次购买
- 漏源电流 (Id) @ 温度 12A
- 导通电阻 Rds(ON) 10欧姆@15A、10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1100皮法@25V
NVMFD5853NLT1G 产品详情
双N沟道MOSFET，ON半导体
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NVMFD5853NLT1G所属分类：场效应晶体管阵列，NVMFD5853NLT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NVMFD5853NLT1G价格参考￥12.747504，你可以下载 NVMFD5853NLT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NVMFD5853NLT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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