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AO4612L

Name: AO4612L
Brand: 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
SKU: 7121969-AO4612L
Price: 14.514772 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: N和P通道场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta), 3.2A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
交期:5-7 工作日

渠道:

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规格参数

安装类别表面安装
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
场效应管类型 N和P通道
部件状态过时的
场效应管特性标准
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
制造厂商阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
最大功率 2W
供应商设备包装 8-SOIC
漏源电压标 (Vdss) 60V
漏源电流 (Id) @ 温度 4.5A (Ta), 3.2A (Ta)
导通电阻 Rds(ON) 56毫欧姆 @ 4.5A, 10V, 105毫欧姆 @ 3.2A, 10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10.5nC @ 10V, 20nC @ 10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 540皮法 @ 30V, 1120皮法 @ 30V

AO4612L 产品详情

AO4612L采用先进的沟槽技术MOSFET，提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器和其他应用。

特色

n沟道p沟道
VDS（V）=60V-60V
ID=4.5A（VGS=10V）-3.2A（VGS=-10V）
RDS（打开）
<56米Ω（VGS=10V）<105mΩ（VGS=-10V）
<77米Ω（VGS=4.5V）<135mΩ（VGS=-4.5V）
100%Rg测试

AO4612L 相关器件

型号	制造商	描述	价格
AO4407C		类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：14A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@10V,14A 产地：重庆	¥1.54346
AO4882-MS	美森科 (MSKSEMI)	类型：2个N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.9W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@10V,6A 4882	¥1.73742
AO4616(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥1.14847
AO4435-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,7A	¥1.1367
AO4410-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9mΩ@10V,10A	¥0.98694
AO4606	广东友台半导体 (UMW)	类型：1个N沟道和1个P沟道	¥1.6422
AO4435	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥1.46162
AO4407-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@10V,10A	¥1.17054
AO4411(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.86192
AO4419(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.69013

AO4612L所属分类：场效应晶体管阵列，AO4612L 由阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AO4612L价格参考￥14.514772，你可以下载 AO4612L中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AO4612L规格参数、现货库存、封装信息等信息！