AO4801AS采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。该器件适合用作负载开关或PWM应用。它可用于公共漏极布置中以形成双向阻断开关。
产品概要
VDS-30伏
ID（VGS=-10V时）-5A
RDS（开启）（VGS=-10V时）<48mΩ
RDS（开启）（VGS=-4.5V时）<57mΩ
RDS（开启）（VGS=-2.5V时）<80mΩ
AO4801AS
- 描述:MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
- 品牌: 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥4.07051
-
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- 总计: ¥4.07
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规格参数
- 场效应管类型 -
- 场效应管特性 -
- 漏源电压标 (Vdss) -
- 漏源电流 (Id) @ 温度 -
- 导通电阻 Rds(ON) -
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
- 最大功率 -
- 工作温度 -
- 安装类别 -
- 包装/外壳 -
- 供应商设备包装 -
- 部件状态 过时的
- 制造厂商 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
AO4801AS 产品详情
AO4801AS 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | AO4407C | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：14A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@10V,14A 产地：重庆 | ¥1.54346 | |
 | AO4882-MS | 美森科 (MSKSEMI) | 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.9W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@10V,6A 4882 | ¥1.73742 |
| AO4616(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥1.14847 |
| AO4435-HXY | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,7A | ¥1.1367 |
| AO4410-HXY | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9mΩ@10V,10A | ¥0.98694 |
 | AO4606 | 广东友台半导体 (UMW) | 类型：1个N沟道和1个P沟道 | ¥1.6422 |
| AO4435 | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥1.46162 |
| AO4407-HXY | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@10V,10A | ¥1.17054 |
| AO4411(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.86192 |
| AO4419(UMW) | 广东友台半导体 (UMW) | 暂无 | ¥0.69013 |
AO4801AS所属分类：场效应晶体管阵列，AO4801AS 由 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AO4801AS价格参考￥4.070510，你可以下载 AO4801AS中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AO4801AS规格参数、现货库存、封装信息等信息！
阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
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