9icnet为您提供由onsemi设计和生产的EMH2408-TL-H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。EMH2408-TL-H参考价格为0.16000美元。onsemi EMH2408-TL-H封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 4A EMH8。您可以下载EMH2408-TL-H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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EMH2407-TL-H是MOSFET 2N-CH 20V 6A EMH8，包括EMH2407系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如8-SMD、扁平引线，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为8-EMH，该设备为2 N沟道（双）FET型，该设备最大功率为1.4W，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为580pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为6A，Rds On Max Id Vgs为25 mOhm@3A，4.5V，栅极电荷Qg Vgs为6.3nC@4.5V，Id连续漏极电流为6A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，漏极-漏极电阻Rds为25mOhm，晶体管极性为N沟道。
EMH2407-S-TL-H是MOSFET 2N-CH 20V 6A EMH8，包括20 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为与N沟道晶体管极性一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供了供应商设备包功能，如8-EMH，系列设计用于EMH2407，以及25 mOhms Rds漏极源极电阻，该器件也可以用作1.3W Pd功率耗散。此外，该封装为磁带和卷轴（TR），该器件采用8-SMD扁平引线封装盒，该器件具有安装型SMD/SMT，安装类型为表面安装，Id连续漏电流为6A。
带有电路图的EMH2407-S-TL-HX，包括表面安装安装型，设计用于2通道数量的通道，数据表注释中显示了用于8-SMD、扁平引线的封装盒，该封装盒提供了磁带和卷轴（TR）等封装功能，该系列设计用于EMH2407-S-TL-HX，以及8-EMH供应商设备包，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为N沟道，该器件提供2 N沟道晶体管类型。
