9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NVMFD5485NLT1G,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。NVMFD5485NLT1G参考价格为0.84000美元。onsemi NVMFD5485NLT1G封装/规格:MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8。您可以下载NVMFD5485NLT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NVMFD5489NLWFT1G,带有引脚细节,包括NVMFD589NL系列,它们设计用于带卷(TR)交替包装包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.001319盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,包装箱设计用于8-PowerTDFN,以及Si技术,其工作温度范围为-55°C~175°C(TJ)。此外,安装类型为表面安装,器件提供2信道数,器件具有8-DFN(5x6)双标志(SO8FL双非对称)供应商器件封装,配置为双,FET类型为2 N信道(双),最大功率为3W,晶体管类型为2 N-信道,漏极到源极电压Vdss为60V,输入电容Ciss Vds为330pF@25V,FET特性为逻辑电平门,电流连续漏极Id 25°C为4.5A,最大Id Vgs上的Rds为65mOhm@15A,10V,Vgs最大Id为2.5V@250μA,栅极电荷Qg Vgs为12.4nC@10V,Id连续漏极电流为12A,Vds漏极-源极击穿电压为60V,漏极-源极电阻Rds为65mOhm,晶体管极性为N沟道。
NVMFD5489NLT3G带有用户指南,包括2.5V@250μA Vgs th Max Id,设计用于2 N沟道晶体管类型,晶体管极性如数据表注释所示,用于N沟道,提供Si等技术特性,供应商设备包设计用于8-DFN(5x6)双标志(SO8FL双非对称),以及NVMFD589NL系列,该器件也可以用作65mOhm@15A、10V Rds On Max Id Vgs。此外,功率最大值为3W,该设备采用磁带和卷轴(TR)交替包装包装,该设备具有8 PowerTDFN封装盒,其工作温度范围为-55°C~175°C(TJ),信道数量为2信道,安装类型为表面安装,输入电容Cis-Vds为330pF@25V,栅极电荷Qg-Vgs为12.4nC@10V,FET类型为2 N沟道(双),FET特性为逻辑电平门,漏极到源极电压Vdss为60V,电流连续漏极Id 25°C为4.5A。
带有电路图的NVMFD5489NLT1G,包括4.5A电流连续漏极Id 25°C,设计用于60V漏极到源极电压Vdss,数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性,该逻辑电平门提供FET类型特性,如2 N通道(双通道),栅极电荷Qg Vgs设计用于12.4nC@10V,以及330pF@25V输入电容Cis Vds,该设备也可以用作表面安装型,其工作温度范围为-55°C~175°C(TJ),该设备采用8-PowerTDFN封装盒,该设备具有磁带和卷轴(TR)交替封装,功率最大值为3W,Rds On Max Id Vgs为65mOhm@15A,10V,供应商设备封装为8-DFN(5x6)双标志(SO8FL双非对称),Vgsth最大Id为2.5V@250μA。
NVMFD5489NLWFT3G,带EDA/CAD型号,包括磁带和卷轴(TR)交替包装包装,它们设计用于表面安装安装型,FET功能如数据表注释所示,用于逻辑电平门,提供封装盒功能,如8-PowerTDFN,供应商设备包设计用于8-DFN(5x6)双标志(SO8FL双非对称),除了65mOhm@15A,10V Rds On Max Id Vgs,该器件还可以用作60V漏极到源极电压Vdss,其工作温度范围为-55°C ~ 175°C(TJ),该器件提供4.5A电流连续漏极Id 25°C,该器件具有3W的最大功率,输入电容Ciss Vds为330pF@25V,Vgs th Max Id为2.5V@250μa,FET类型为2N沟道(双),栅极电荷Qg Vgs为12.4nC@10V。