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NVMFD5485NLT1G

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 359

数量 单价 合计
1500+ 9.45437 14181.56250
  • 库存: 6000
  • 单价: ¥6.08404
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,184.17
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 部件状态 不适用于新设计
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 5.3A
  • 漏源电压标 (Vdss) 60V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 20nC @ 10V
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 供应商设备包装 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 560皮法 @ 25V
  • 最大功率 2.9瓦
  • 导通电阻 Rds(ON) 44毫欧姆 @ 15A, 10V

NVMFD5485NLT1G 产品详情

NVMFD5485NLT1G所属分类:场效应晶体管阵列,NVMFD5485NLT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NVMFD5485NLT1G价格参考¥6.084036,你可以下载 NVMFD5485NLT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NVMFD5485NLT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

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onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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