9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NVMFD5873NLT1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NVMFD5873NLT1G参考价格1.19770美元。onsemi NVMFD5873NLT1G封装/规格：MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL。您可以下载NVMFD5873NLT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NVMFD5853NLWFT1G，带有引脚细节，包括NVMFD5854NL系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表说明中显示了用于8-PowerTDFN的包装盒，该产品提供Si等技术特性，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），以及表面安装安装类型，该设备也可以用作2信道数信道。此外，供应商设备包为8-DFN（5x6）双标志（SO8FL双非对称），该设备为2 N通道（双）FET型，该设备最大功率为3W，晶体管类型为2 N信道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为1100pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为12A，最大Id Vgs的Rds为10mOhm@15A，10V，Vgs最大Id为2.4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为23nC@10V，晶体管极性为N沟道。
NVMFD5853NT1G带有用户指南，包括4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为使用Si技术操作。数据表说明中显示了用于8-DFN（5x6）双标志（SO8FL双非对称）的供应商设备包，该产品提供了NVMFD5851N、Rds on Max Id Vgs等系列功能，设计为在10 mOhm@15A、10V以及3.1W最大功率下工作，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为8-PowerTDFN，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），器件具有安装型表面安装，输入电容Ciss Vds为1225pF@25V，栅极电荷Qg Vgs为24nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为40V，25°C的电流连续漏电流Id为12A。
带有电路图的NVMFD5853NWFT1G，包括12A电流连续漏极Id 25°C，设计用于40V漏极到源极电压Vdss，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于24nC@10V，以及1225pF@25V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备采用8-PowerTDFN封装盒，该设备具有封装带和卷盘（TR），最大功率为3.1W，Rds On Max Id Vgs为10mOhm@15A，10V，系列为NVMFD5853N，供应商设备包为8-DFN（5x6）双标志（SO8FL双非对称），技术为Si，Vgs th Max Id为4V@250μA。
