9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMG6898LSD-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMG6898LSD-13参考价格为0.65000美元。Diodes Incorporated DMG6898LSD-13封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO。您可以下载DMG6898LSD-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMG6602SVTQ-7，带有引脚细节，包括DMG6602系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SOT-23-6 Thin、TSOT-23-6等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为2信道，该设备在TSOT-26供应商设备包中提供，该设备具有1个N信道1个P信道配置，FET类型为N和P信道，最大功率为840mW，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为400pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为3.4A，2.8A，Rds On最大Id Vgs为60 mOhm@3.1A，10V，Vgs th最大Id为2.3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为13nC@10V，Pd功耗为1.27 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3 ns 13 ns，上升时间为5 ns 7.3 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V+/-20 V，Id连续漏极电流为3.4 A-2.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V-30 V，Vgs第栅极-源阈值电压为1 V-2.3 V，Rds漏极源极电阻为100 m欧姆140 m欧姆，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为13 ns 20 ns，典型接通延迟时间为3ns 4.8ns，Qg栅极电荷为9nC7nC，正向跨导Min为4S 6S，信道模式为增强。
DMG6602SVT-7是MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6，包括2.3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于TSOT-23-6供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于60 mOhm@3.1A，10V，提供840mW等功率最大功能，TSOT-23-6包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供400pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有13nC@10V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为N和P沟道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C电流连续漏极Id为3.4A，2.8A。
DMG6602SVT，电路图由DIODES制造。DMG6602SVT采用SOT-23-6封装，是FET阵列的一部分。
