9icnet为您提供由Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司设计和生产的AO4822_101，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。AO4822_101参考价格$0.392。Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司AO4822_101封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 8A。您可以下载AO4822_101英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如AO4822_101价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
AO4821是MOSFET 2P-CH 12V 9A 8SOIC，它们设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装型功能。此外，漏极到源极电压Vdss为12V，该器件以2100pF@6V输入电容Cis-Vds提供，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为9A，最大Id Vgs的Rds为19mOhm@9A，4.5V，Vgs最大Id为850mV@250μa，栅极电荷Qg Vgs为23nC@4.5V。
AO4821L是MOSFET 2P-CH 12V 9A 8SOIC，包括850mV@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-SO供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于19 mOhm@9A，4.5V，提供2W等功率最大功能，封装设计为在磁带和卷轴（TR）中工作，以及8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2100pF@6V输入电容Cis-Vds，该器件具有23nC@4.5V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为12V，电流连续漏极Id 25°C为9A。
AO4818L是MOSFET 2N-CH 30V 8A，包括8A电流连续漏极Id 25°C，它们设计为在30V漏极到源极电压Vdss下工作。数据表注释中显示了标准中使用的FET特性，该标准提供了FET类型特性，如2 N沟道（双），栅极电荷Qg Vgs设计为在18nC@10V下工作，以及888pF@15V输入电容Cis Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，该设备具有封装带和卷盘（TR），最大功率为2W，Rds On Max Id Vgs为19mOhm@8A，10V，供应商设备封装为8-SO，Vgs th Max Id为2.4V@250μa。
