9icnet为您提供由Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司设计和生产的AO4852L，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。AO4852L价格参考1.164美元。Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司AO4852L封装/规格：MOSFET 2N-CH 60V 3A 8-SOIC。您可以下载AO4852L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AO4852是MOSFET 2N-CH 60V 3A 8-SOIC，它们设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装型功能。此外，漏极到源极电压Vdss为60V，该器件提供450pF@30V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为3A，最大Id Vgs的Rds为90mOhm@3A，10V，Vgs最大Id为2.6V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为9.2nC@10V。
AO4850是MOSFET 2N-CH 75V 2.3A 8SOIC，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-SOIC供应商器件封装一起工作，Rds On Max Id Vgs如数据表注释所示，用于130 mOhm@3.1A，10V，提供1.1W等最大功率特性，封装设计为在磁带和卷轴（TR）中工作，以及8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供380pF@30V输入电容Cis-Vds，该器件具有7nC@10V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为2 N沟道（双），且FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为75V，电流连续漏极Id 25°C为2.3A。
AO4850L是MOSFET 2N-CH 75V 2.3A 8SOIC，包括2.3A电流连续漏极Id 25°C，设计用于75V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于7nC@10V，除了380pF@30V输入电容Cis-Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，该器件具有封装带和卷轴（TR），最大功率为1.1W，最大Id Vgs的Rds为130 mOhm@3.1A，10V，供应商器件封装为8-SO，最大Id的Vgs为3V@250μa。
