AO4882

Name: AO4882
Brand: 台舟 (TECH PUBLIC)
SKU: 7122285-AO4882
Price: 2.088541 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 台舟 (TECH PUBLIC)
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10+	1.58471	15.84718
30+	1.41635	42.49068
100+	1.15120	115.12080
600+	1.05767	634.60380
1200+	1.00154	1201.85760

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规格参数

部件状态可供货
安装类别表面安装
场效应管特性逻辑电平门
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
场效应管类型 2个N通道（双通道）
制造厂商台舟 (TECH PUBLIC)
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.4V@250A.
漏源电流 (Id) @ 温度 8A
漏源电压标 (Vdss) 40伏
最大功率 2W
供应商设备包装 8-SOIC
导通电阻 Rds(ON) 19毫欧姆@8A，10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12nC @ 10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 415皮法 @ 20V

AO4882 产品详情

AO4882采用先进的沟槽技术，以低栅极电荷提供出色的RDS（ON）。这是一种适用于各种功率转换应用的通用设备。

产品概要
VDS 40伏
ID（VGS=10V时）8A
RDS（开启）（VGS=10V时）<19mΩ
RDS（开启）（VGS=4.5V时）<27mΩ

100%UIS测试
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型号	制造商	描述	价格
AO4407C		类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：14A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@10V,14A 产地：重庆	¥1.54346
AO4882-MS	美森科 (MSKSEMI)	类型：2个N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.9W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@10V,6A 4882	¥1.73742
AO4616(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥1.14847
AO4435-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,7A	¥1.1367
AO4410-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9mΩ@10V,10A	¥0.98694
AO4606	广东友台半导体 (UMW)	类型：1个N沟道和1个P沟道	¥1.6422
AO4435	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥1.46162
AO4407-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@10V,10A	¥1.17054
AO4411(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.86192
AO4419(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.69013

AO4882所属分类：场效应晶体管阵列，AO4882 由台舟 (TECH PUBLIC) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AO4882价格参考￥2.088541，你可以下载 AO4882中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AO4882规格参数、现货库存、封装信息等信息！