9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIZ910DT-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIZ910DT-T1-GE3参考价格125.45美元。Vishay Siliconix SIZ910DT-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 40A电源对。您可以下载SIZ910DT-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIZ902DT-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SIZ902DT-GE3的零件别名，该SIZ902DT-GE3提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在8-PowerWDFN以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的8-PowerPairR，配置为双通道，FET类型为2 N通道（半桥），最大功率为29W、66W，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为790pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为16A，最大Id Vgs上的Rds为12 mOhm@13.8A，10V，Vgs最大Id为2.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为21nC@10V，Pd功耗为66W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 nS 10 nS，上升时间为12nS 10nS，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为16A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极源极电阻为10mOhms 5.3mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20nS 35nS，Qg栅极电荷为6.8nC 21nC。
SIZ904DT-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 12A功率对，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供典型的关断延迟时间特性，如15 nS 14 nS，晶体管类型设计为在2 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，供应商设备包是6-PowerPair？，该器件以TrenchFETR系列提供，该器件具有10 ns 9 ns的上升时间，Rds On Max Id Vgs为24 mOhm@7.8A，10V，Rds On漏极-源极电阻为24 mOhm，Qg栅极电荷为3.8 nC 7.3 nC，最大功率为20W，33W，Pd功耗为33 W，部件别名为SIZ904DT-GE3，封装为Digi-ReelR交替封装，包装盒为6-PowerPair？，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Cis-Vds为435pF@15V，Id连续漏电流为16A，栅极电荷Qg Vgs为12nC@10V，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为逻辑电平门，下降时间为10 ns 8 ns，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为12A、16A，配置为双重。
SIZ900DT-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 24A功率对，包括双公共源极配置，它们设计用于24A、28A电流连续漏极Id 25°C，漏极到源极电压Vdss显示在数据表注释中，用于30V，提供FET功能，如逻辑电平门，FET类型设计用于2 N沟道（半桥），以及45nC@10V栅极电荷Qg-Vgs，该器件也可以用作24A Id连续漏极电流。此外，输入电容Cis-Vds为1830pF@15V，其最大工作温度范围为+150 C，该器件具有安装型表面安装，安装类型为SMD/SMT，通道数为2通道，其工作温度范围在-55°C ~ 150°C（TJ），封装外壳为6-PowerPair？，封装为Digi-ReelR交替封装，零件别名为SIZ900DT-GE3，Pd功耗为48 W 100 W，最大功率为48W、100W，漏极-源极电阻Rds为5.9 mOhms 3.2 mOhms，最大Id Vgs为7.2 mOhm@19.4A、10V，系列为TrenchFETR，供应商设备封装为6-PowerPair？，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2N沟道，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs最大Id为2.4V@250μA。
