9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NVMFD5853NT1G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NVMFD5853NT1G参考价格0.69000美元。onsemi NVMFD5853NT1G封装/规格：MOSFET 2N-CH 40V 12A 8DFN。您可以下载NVMFD5853NT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NVMFD5853NLT1G，带有引脚细节，包括NVMFD5854NL系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.001319盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于8-PowerTDFN，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供8-DFN（5x6）双标志（SO8FL双非对称）供应商器件包，该器件具有2 N沟道（双）FET类型，最大功率为3W，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Ciss Vds为1100pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为12A，最大Id Vgs的Rds为10mOhm@15A，10V，Vgs的最大Id为2.4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为23nC@10V，Id连续漏极电流为34A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds漏极源极电阻为10mOhms，晶体管极性为N沟道。
NVMFD5852NLWFT1G带有用户指南，包括2.4V@250μA Vgs th Max Id，设计用于2 N沟道晶体管类型，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于8-DFN（5x6）双标志（SO8FL双非对称），以及NVMFD5852NL系列，该器件也可以用作6.9 mOhm@20A，10V Rds On Max Id Vgs。此外，最大功率为3.2W，该设备采用磁带和卷轴（TR）封装，该设备具有8功率TDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），通道数量为2通道，安装类型为表面安装，输入电容Cis-Vds为1800pF@25V，栅极电荷Qg-Vgs为36nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为40V，电流连续漏极Id 25°C为15A。
带有电路图的NVMFD5853NLWFT1G，包括12A电流连续漏极Id 25°C，设计用于40V漏极到源极电压Vdss，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于23nC@10V，以及1100pF@25V输入电容Cis Vds，该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为2信道，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），设备具有8功率TDFN封装盒，封装为磁带和卷轴（TR），最大功率为3W，最大Id Vgs上的Rds为10 mOhm@15A，10V，系列为NVMFD5853NL，供应商设备封装为8-DFN（5x6）双标志（SO8FL双非对称），技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2N沟道，Vgs th最大Id为2.4V@250μA。
