9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NVMD6N03R2G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NVMD6N03R2G参考价格为0.28000美元。onsemi NVMD6N03R2G封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC。您可以下载NVMD6N03R2G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NVMD3P03R2G带有引脚细节，包括NTMD3P03系列，它们设计用于带卷（TR）包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.019048盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件采用8-SOIC供应商器件封装，该器件具有2个P通道（双通道）FET型，最大功率为730mW，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为750pF@24V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2.34A，最大Id Vgs上的Rds为85 mOhm@3.05A、10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为25nC@10V，Id连续漏极电流为-3.05 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds漏极源极电阻为85 mOhms，晶体管极性为P沟道。
NVMD4N03R2G带有用户指南，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为使用Si技术操作。数据表说明中显示了用于8-SOIC的供应商设备包，该设备提供NTMD4N03、Rds on Max Id等系列功能。Vgs设计为在60 mOhm@4A、10V以及2W功率最大值下工作，该设备还可以用作磁带和卷轴（TR）封装。此外封装外壳为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽），工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），器件为表面安装型，输入电容Cis-Vds为400pF@20V，栅极电荷Qg-Vgs为16nC@110V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为4A。
NVM3060，带有ITT制造的电路图。NVM3060采用DIP8封装，是IC芯片的一部分。
