AOP609采用先进的沟槽技术MOSFET,提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器和其他应用。标准产品AOP609不含铅(符合ROHS和Sony 259规范)。
AOP609L是绿色产品订购选项。
AOP609和AOP609L在电气上相同。
特色
n沟道p沟道
VDS(V)=60V-60V
内径=4.7A(VGS=10V)-3.5A(VGS=-10V)
RDS(打开)
小于60米Ω (VGS=10V)<115mΩ (VGS=-10V)
小于75mΩ (VGS=4.5V)<140mΩ (VGS=-4.5V)
ESD额定值:1500V HBM 3000V HMB