AOP610采用先进的沟槽技术MOSFET,提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于形成电平移位高侧开关,并用于许多其他应用。与n沟道FET并联的肖特基二极管减少了与体二极管相关的损耗。它是
ESD保护。标准产品AOP610不含铅(符合ROHS和索尼259规范)。AOP610L是绿色产品订购选项。AOP610和AOP610L在电气上相同。
特色
n沟道p沟道
VDS(V)=30V-30V
ID=7.7A(VGS=10V)-6.2A(VGS=10V)
RDS(打开)
<24mΩ (VGS=10V)<37mΩ (VGS=-10V)
小于42mΩ (VGS=4.5V)<60mΩ (VGS=-4.5V)
ESD额定值:1500V(HBM)