AO4800B

Name: AO4800B
Brand: 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
SKU: 7124132-AO4800B
Price: 773.165089 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 6.9A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
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规格参数

宽（英寸） -
高度（英寸） -
安装类别表面安装
场效应管特性逻辑电平门
漏源电压标 (Vdss) 30伏
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
部件状态过时的
包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
场效应管类型 2个N通道（双通道）
制造厂商阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
最大功率 2W
供应商设备包装 8-SOIC
漏源电流 (Id) @ 温度 6.9A
导通电阻 Rds(ON) 27毫欧姆@6.9A，10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 7nC @ 4.5V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 630皮法 @ 15V

AO4800B 产品详情

AO4800B/L采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。这两个MOSFET构成了一个紧凑高效的开关和同步整流器组合，用于降压转换器。标准产品AO4800B/L不含铅（符合ROHS和Sony 259规范）。

AO4800B 相关器件

型号	制造商	描述	价格
AO4407C		类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：14A 功率(Pd)：3.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@10V,14A 产地：重庆	¥1.54346
AO4882-MS	美森科 (MSKSEMI)	类型：2个N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.9W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@10V,6A 4882	¥1.73742
AO4616(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥1.14847
AO4435-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,7A	¥1.1367
AO4410-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9mΩ@10V,10A	¥0.98694
AO4606	广东友台半导体 (UMW)	类型：1个N沟道和1个P沟道	¥1.6422
AO4435	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥1.46162
AO4407-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@10V,10A	¥1.17054
AO4411(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.86192
AO4419(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.69013

AO4800B所属分类：场效应晶体管阵列，AO4800B 由阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AO4800B价格参考￥773.165089，你可以下载 AO4800B中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AO4800B规格参数、现货库存、封装信息等信息！