9icnet为您提供由Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司设计和生产的AO5804EL，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。AO5804EL价格参考0.788美元。Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司AO5804EL封装/规格：MOSFET N-CH SC89-3。您可以下载AO5804EL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AO5804E是MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SC89-6L，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SOT-563、SOT-666封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于SC-89-6，以及2 N沟道（双）FET类型，该器件还可以用作280mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供45pF@10V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为500mA，最大Id Vgs上的Rds为550mOhm@500mA，4.5V，Vgs th最大Id为1V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为1nC@4.5V。
AO5800E是MOSFET 2N-CH 60V 0.4A SC89-6L，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与SC-89-6供应商设备包一起工作，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于1.6 Ohm@400mA，10V，提供功率最大功能，如400mW，包装设计为在Digi-ReelR替代包装以及SOT-563、SOT-666包装箱中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供50pF@30V输入电容Cis-Vds，器件具有2 N沟道（双）FET类型，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为60V。
AO5803E是MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC89-6L，包括20V漏极到源极电压Vdss，它们设计用于逻辑电平门FET功能，FET类型如数据表注释所示，用于2 P通道（双通道），提供输入电容Cis-Vds功能，如100pF@10V，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度范围为-50°C~150°C（TJ），该装置也可以用作SOT-563、SOT-666包装箱。此外，包装为Digi-ReelR，该设备的最大功率为400mW，该设备在600mA时的电阻为800mOhm，最大Id Vgs为4.5V，供应商设备包装为SC-89-6，Vgs最大Id为900mV@250μa。
AO5800，带有AOS制造的EDA/CAD模型。AO5800在SOT563封装中提供，是FET阵列的一部分。
