9icnet为您提供由Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司设计和生产的AO5803E，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。AO5803E价格参考1.43美元。Alpha&Omega Semiconductor Inc.股份有限公司AO5803E封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC89-6L。您可以下载AO5803E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AO5600EL是MOSFET N/P-CH 20V SC89-6L，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于SOT-563、SOT-666封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商器件封装设计用于SC-89-6，以及N和P通道互补FET类型，该器件还可以用作380mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供45pF@10V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为600mA、500mA，最大Id Vgs上的Rds为650mOhm@500mA、4.5V，Vgs最大Id为1V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为1nC@4.5V。
AO5800E是MOSFET 2N-CH 60V 0.4A SC89-6L，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与SC-89-6供应商设备包一起工作，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于1.6 Ohm@400mA，10V，提供功率最大功能，如400mW，包装设计为在Digi-ReelR替代包装以及SOT-563、SOT-666包装箱中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供50pF@30V输入电容Cis-Vds，器件具有2 N沟道（双）FET类型，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为60V。
AO5800，电路图由AOS制造。AO5800在SOT563封装中提供，是FET阵列的一部分。
