高侧和低侧MOSFET在一个紧凑的封装中，同时仍然获得与两个分立器件相当的低导通电阻和高电流。
SIZ348DT-T1-GE3
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Ta）、30A（Tc） 供应商设备包装: 8-Power33 (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 7.89476 | 7.89476 |
| 10+ | 7.06907 | 70.69070 |
| 100+ | 5.51039 | 551.03980 |
| 500+ | 4.55230 | 2276.15400 |
| 1000+ | 3.59392 | 3593.92700 |
| 6000+ | 3.95332 | 23719.92000 |
- 库存: 2875
- 单价: ¥7.89476
-
数量:
- +
- 总计: ¥7.89
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 场效应管特性 标准
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.4V@250A.
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 包装/外壳 8-PowerWDFN
- 供应商设备包装 8-Power33 (3x3)
- 最大功率 3.7W (Ta), 16.7W (Tc)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 820皮法 @ 15V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 18A（Ta）、30A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 7.12毫欧姆 @ 15A, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 18.2nC@10V
SIZ348DT-T1-GE3 产品详情
双N沟道MOSFET PowerPAIR®，Vishay半导体
SIZ348DT-T1-GE3 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | SIZ260DT-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.9A (Ta), 24.7A (Tc), 8.9A (Ta), 24.6A (Tc) 供应商设备包装: 8-PowerPair (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥9.12605 |
 | SIZ918DT-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A、28A 供应商设备包装: 8-PowerPair (6x5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥9.4882 |
 | SIZ270DT-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc) 供应商设备包装: 8-PowerPair (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥10.71949 |
 | SIZ346DT-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc）、30A（Tc） 供应商设备包装: 8-Power33 (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.5046 |
 | SIZ342ADT-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15.7A（Ta）、33.4A（Tc） 供应商设备包装: 8-Power33 (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.51861 |
 | SIZ340ADT-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc), 25.4A (Ta), 69.7A (Tc) 供应商设备包装: 8-Power33 (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥8.40176 |
 | SIZ988DT-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc), 60A (Tc) 供应商设备包装: 8-PowerPair 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥9.70549 |
 | SIZF906BDT-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2 N通道（双通道），肖特基 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc) 供应商设备包装: 8-PowerPair (6x5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.53022 |
 | Size 675 | 微动力电池公司 (Micropower) | 电池化学物质成份: Zinc Air 额定电压: 1.45伏 电芯尺寸: 硬币，11.6毫米 端接样式: 需要支架 大小/尺寸: 0.45“直径x 0.21”高（11.6毫米x 5.4毫米） 包装: 零售套餐 | ¥2.04011 |
 | SIZ250DT-T1-GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、38A（Tc） 供应商设备包装: 8-PowerPair (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥9.12605 |
SIZ348DT-T1-GE3所属分类：场效应晶体管阵列，SIZ348DT-T1-GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SIZ348DT-T1-GE3价格参考￥7.894761，你可以下载 SIZ348DT-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SIZ348DT-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
