9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQJ942EP-T1_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQJ942EP-T1_GE3参考价格为1.27000美元。Vishay Siliconix SQJ942EP-T1_GE3封装/规格：MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8。您可以下载SQJ942EP-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到所需的产品，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，如SQJ942EP-T1_GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SQJ940EP-T1_GE3带有引脚细节，包括TrenchFETR系列，它们设计用于带卷（TR）封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供TrenchFET等商标功能，封装外壳设计用于PowerPAKR SO-8 Dual以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件采用PowerPAKR SO-8双非对称供应商器件封装，该器件具有双重配置，FET类型为2 N沟道（双重），最大功率为48W、43W，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为896pF@220V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为15A，18A，Rds On最大Id Vgs为16 mOhm@15A，10V，Vgs th最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为20nC@20V，Pd功耗为43 W 48 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4.9 ns 13.5 ns，上升时间为9.3 ns 9.5 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为15 A 18 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，第Vgs栅极源极阈值电压为2 V，Rds漏极源极导通电阻为6.4 m欧姆16 m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15.6 ns 47 ns，典型的导通延迟时间为4.8ns 7.7ns，Qg栅极电荷为20nC 48nC。
带用户指南的SQJ942EP-T1_GE3，包括1.8 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于40 V，提供典型的开启延迟时间功能，如33 ns 40 ns，典型的关闭延迟时间设计为29 ns 52 ns，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作TrenchFET商品名。此外，该技术为Si，该器件为SQ系列，该器件的上升时间为25 ns 31 ns，漏极-源极电阻Rds为11 mOhms 22 mOhms，Qg栅极电荷为13.1 nC 22.5 nC，Pd功耗为17 W 48 W，封装为卷轴式，封装外壳为SO-8L-4，安装类型为SMD/SMT，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为15 A 45 A，下降时间为12 ns 16 ns，配置为双重。
SQJ941EP-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK SO-8，包括8A电流连续漏极Id 25°C，设计用于30V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于55nC@10V，除了1800pF@10V输入电容Cis Vds之外，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C（TJ），该器件采用PowerPAKR SO-8双封装外壳，该器件具有封装的磁带和卷轴（TR），功率最大为55W，Rds On Max Id Vgs为24 mOhm@9A，10V，系列为TrenchFETR，供应商设备包为PowerPAKR SO-8 Dual，Vgs th Max Id为2.5V@250μA。
